半导体板块

任职要求1、 具有半导体物理和器件物理知识基础，熟悉器件的直流、射频电性测试。以GaN经验优先，包括射频和电力电子应用，其它Si基器件亦可；2、 具有丰富的半导体工艺制程开发经验，包括 PVD、CVD和干法刻蚀。以GaN相关经验优先，其它半导体材料基亦可；3、 熟悉射频器件的结构布局和版图设计，熟练使用Silvaco、Sentaurus或Ansys等器件电学和热学仿真软件。以GaN经验优先，其他Si基或GaAs基亦可；4、 熟悉器件的制程，流片和测试，能够根据流片或者测试异常，分析制程原因。以GaN器件（含射频、电力电子应用）优先，其他半导体经验亦可；5、 熟悉GaN器件工作原理及可靠性失效机理，针对可靠性失效器件进行分析和机理研究，可提出可靠性加固方案。以GaN经验优先；6、 熟悉GaN射频器件的应用，包含小信号、大信号测试和分析，板级demo系统设计和调试，反馈器件问题。以GaN射频器件应用经验优先；7、 有较强的文档撰写能力和清晰的逻辑思维，包含专利，文章，项目申报等；8、 良好的英文读写水平，能够有独立查阅英文文献资料的能力；9、 需要较强的团队协助能力和语言表达能力。具备良好的学习能力，责任意识较强，能够承担较大的工作压力；